Welk verschijnsel is het, waarbij ladingdragers die door het sterke veld nabij de drain zijn versneld in de gate-isolator worden geïnjecteerd en de eigenschappen van de transistor verslechteren?

Antwoord: B. Hot-carrierinjectie (HCI)

Wanneer ladingdragers die door het kanaal stromen door het sterke veld nabij de drain worden versneld, worden het energierijke hot carriers, waarvan een deel in de gate-isolator wordt geïnjecteerd of grensvlaktoestanden vormt. Hierdoor veranderen de drempelspanning en de aandrijfstroom. Het wordt onderdrukt met de LDD-structuur, waarbij de onzuiverheidsconcentratie aan de rand van de drain wordt verlaagd om het veld te verzwakken, en door verlaging van de voedingsspanning. NBTI is degradatie die ook zonder stroom optreedt en latch-up is het geleiden van een parasitaire thyristor.