Degradationsphänomen, bei dem der Betrag der Schwellenspannung eines pMOS unter negativer Gate-Spannung bei hoher Temperatur allmählich zunimmt.
Japanische Bezeichnung: NBTI
Fachgebiet: Zuverlässigkeit
Arrhenius-Modell Badewannenkurve Elektromigration ESD (elektrostatische Entladung) FIT (Failures in Time) Heiße-Ladungsträger-Injektion (HCI) Latch-up MTTF (mittlere Zeit bis zum Ausfall, mean time to failure) Soft Error (temporärer Bitfehler) TDDB (zeitabhängiger dielektrischer Durchbruch, time-dependent dielectric breakdown)