Welk verschijnsel is het waarbij door een sterk elektrisch veld op de overlap van gate en drain een band-naar-band-tunnelstroom loopt en de lekstroom in de uit-toestand toeneemt?

Antwoord: C. GIDL (gate-induced drain leakage)

Ook als de transistor uit is, wordt de band bij een grote spanning tussen gate en drain nabij de gaterand van de drain sterk gebogen en loopt er stroom door band-naar-band-tunneling. Dit is GIDL, en kenmerkend is dat het toeneemt naarmate de gatespanning negatiever wordt. Het is een probleem bij elementen waarvan de lek extreem klein moet zijn, zoals de celtransistor van DRAM, en wordt onderdrukt via het ontwerp van concentratie en veld aan de drainrand. DIBL is verlaging van de drempel door de drainspanning en NBTI is degradatie van de pMOS.