Afkorting van Drain Induced Barrier Lowering. Bij een MOSFET met kort kanaal daalt de potentiaalbarrière aan de sourcezijde naarmate de drainspanning hoger is, waardoor de drempelspanning daalt. Verhoogt de lekstroom in de uit-toestand.
Japanse benaming: DIBL
“DIBL” komt voor in 3 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA), MOSFET.
Vakgebied: MOSFET
Antwoord: C. Het verschijnsel dat de potentiaalbarrière aan de sourcezijde lager wordt naarmate de drainspanning hoger is, waardoor de drempelspanning daalt
Bij een korte gatelengte reikt het elektrische veld van de drain tot dicht bij de source en verlaagt het de potentiaalbarrière tussen source en kanaal. Daardoor daalt de drempelspanning naarmate de drainspanning hoger is en neemt de lekstroom in de uit-toestand toe. DIBL wordt uitgedrukt als 'verandering van de drempelspanning per 1 V drainspanning (mV/V)' en wordt bij geavanceerde transistoren beperkt tot enkele tientallen mV/V of minder. In versterkerschakelingen is het ook een oorzaak van een lagere uitgangsweerstand.
DIBL wordt uitgedrukt als 'verandering van de drempelspanning per 1 V drainspanning (mV/V)' en wordt bij geavanceerde transistoren beperkt tot enkele tientallen mV/V of minder.
Welke uitspraak over DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) …DIBL is verlaging van de drempel door de drainspanning en NBTI is degradatie van de pMOS.
Welk verschijnsel is het waarbij door een sterk elektrisch …Daardoor treden onder meer een daling van de drempelspanning (roll-off), een door de drainspanning veroorzaakte daling van de drempelspanning (DIBL), een verslechtering van de subthreshold-coëfficiënt en een toename van de lekstroom in de uit-toestand op.
Welk verschijnsel is een kortekanaaleffect van MOSFET's?Drempelspanning (threshold voltage) GIDL (gate-induced drain leakage) Via NBTI CMOS Doorschietstroom (shoot-through-stroom) Flatbandspanning Inversielaag Kanaallengtemodulatie Korte-kanaaleffect