Afkorting van Lightly Doped Drain. Structuur waarbij alleen het gate-zijdige uiteinde van de drain een lagere doteringsconcentratie heeft, om het elektrische veld te verzwakken en degradatie door hot carriers te onderdrukken.
Japanse benaming: LDD構造
“LDD-structuur” komt voor in 2 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. MOSFET, Betrouwbaarheid.
Vakgebied: MOSFET
Antwoord: B. De onzuiverheidsconcentratie aan de drainkant verlagen om het elektrische veld te verzwakken en degradatie door hot carriers te onderdrukken
Nabij de drain is het elektrische veld sterk, en hot carriers met hoge energie worden in de gate-isolator geïnjecteerd of creëren grensvlaktoestanden, wat verschuiving van de drempelspanning en vermindering van de stroom veroorzaakt. Bij de LDD-structuur wordt met de gatezijwand (spacer) aan de kanaalzijde van de drain een lichtgedoteerd ondiep gebied gemaakt, waardoor het piekveld daalt en de degradatie wordt onderdrukt. Tegenwoordig is de extensie (ondiepe overgang met hoge concentratie), die ook korte-kanaaleffecten onderdrukt, gangbaar.
Bij de LDD-structuur wordt met de gatezijwand (spacer) aan de kanaalzijde van de drain een lichtgedoteerd ondiep gebied gemaakt, waardoor het piekveld daalt en de degradatie wordt onderdrukt.
Wat is het doel van de LDD-structuur (Lightly Doped Drain) …Het wordt onderdrukt met de LDD-structuur, waarbij de onzuiverheidsconcentratie aan de rand van de drain wordt verlaagd om het veld te verzwakken, en door verlaging van de voedingsspanning.
Welk verschijnsel is het, waarbij ladingdragers die door he…Grensvlaktoestanden (interface traps) Drempelspanning (threshold voltage) NBTI Latch-up CMOS DIBL Doorschietstroom (shoot-through-stroom) Flatbandspanning GIDL (gate-induced drain leakage) Inversielaag