Wat is ESD (elektrostatische ontlading)?

Verschijnsel waarbij statische elektriciteit van een opgeladen persoon of voorwerp in één keer ontlaadt. Op een IC-aansluiting kan dit het gateoxide en dergelijke vernielen, dus in- en uitgangen krijgen een beveiligingsschakeling.

Japanse benaming: ESD(静電気放電)

“ESD (elektrostatische ontlading)” komt voor in 13 oefenvragen uit 6 onderwerpen, bijv. Cleanroom en productieapparatuur, Betrouwbaarheid, Halfgeleiders voor auto's en functionele veiligheid.

Vakgebied: Betrouwbaarheid

Waarom IC's kwetsbaar zijn

Een persoon of voorwerp kan gemakkelijk worden opgeladen tot duizenden volts, terwijl een gatediëlektricum van enkele nanometers dik doorslaat bij ongeveer 10 MV/cm, slechts een paar volt voor een laag van 2 nm. Een elektrostatische ontlading in een pin kan gateoxides daardoor ogenblikkelijk doorslaan, en de piekstroom kan junctions of metaalbanen laten smelten. Niet elke ontlading vernielt een onderdeel direct: sommige laten latente schade achter, zoals een verhoogde lekstroom, die later in het veld tot uitval leidt. Fabrieken gebruiken daarom geaarde polsbanden, geleidende vloeren en werkoppervlakken, en ionisatoren.

Beveiliging op de chip

Elke I/O-pin heeft diodes naar de voedings- en aardrail, die geleiden wanneer de pin buiten de rails wordt gestuurd en de ontladingsstroom wegleiden van de interne schakelingen. Een power clamp tussen de rails, vaak een grote transistor die wordt getriggerd door de snelle flank van een ESD-gebeurtenis, maakt het stroompad compleet. De beveiliging moet triggeren boven de normale werkspanning, maar onder het niveau dat de te beschermen schakeling beschadigt. Beveiligingscomponenten voegen capaciteit toe, dus bij snelle I/O worden ze klein gehouden. Een 5 V-tolerante ingang heeft geen diode naar VDD, zodat een hogere ingangsspanning niet naar de voeding wegvloeit.

Testmodellen en ratings

Ratings van componenten beschrijven de hantering in ESD-beheerste fabrieken. Het human body model (HBM), een condensator van 100 pF die via 1,5 kΩ wordt ontladen, stelt een opgeladen persoon voor die een pin aanraakt; ongeveer 2 kV is een gangbaar doel. Het charged device model (CDM) stelt een opgeladen IC voor dat ontlaadt wanneer een pin metaal raakt, met gebeurtenissen van ongeveer een nanoseconde of korter, en is het belangrijkste aandachtspunt bij geautomatiseerde hantering. Een datasheetrating zoals HBM ±2 kV en CDM ±500 V dekt geen afgewerkte apparatuur, waar tests op systeemniveau zoals IEC 61000-4-2 contactontladingen van ±8 kV toepassen en TVS-diodes op de printplaat nodig zijn.

ESD versus latch-up

De twee worden vaak samen getest, zoals bij de automotive-kwalificatie AEC-Q100, maar het zijn verschillende faalmechanismen. ESD is een korte transiënt met veel energie die structuren direct beschadigt. Latch-up is een aanhoudende toestand met hoge stroom, waarin parasitaire pnp- en npn-transistors in CMOS een thyristor vormen en elkaar aanzetten, getriggerd door stroominjectie of overspanning op een pin. Eenmaal vergrendeld blijft de stroom vloeien tot de voeding wordt weggenomen, en kan de chip oververhit raken. Een hogere temperatuur verhoogt de parasitaire versterkingen en de wellweerstand, dus latch-uptests worden uitgevoerd bij de maximale werktemperatuur.

Nu oefenen: vragen over ESD (elektrostatische ontlading)

Wat is de belangrijkste rol van ESD-beschermingsdiodes die op de in- en uitgangsaansluitingen van een IC zijn aangesloten?

  1. ATe hoge spanningen zoals statische elektriciteit afvoeren naar de voeding of de aarde en de interne schakelingen beschermen
  2. BDe capaciteit van de aansluiting vergroten om het signaal sneller te maken
  3. CEen signaal versterken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Te hoge spanningen zoals statische elektriciteit afvoeren naar de voeding of de aarde en de interne schakelingen beschermen

Elektrostatische ontlading (ESD) van mensen of apparatuur kan duizenden volt bedragen, terwijl een gate-isolator van enkele nm dik bij enkele volt bezwijkt. Als tussen de in- en uitgangsaansluitingen en de voeding en aarde diodes worden geplaatst, gaan deze bij een te hoge spanning geleiden, voeren de stroom af en beschermen de interne schakeling. Voor IC’s is een bestendigheid van ca. 2 kV in het human body model (HBM) een gebruikelijke richtwaarde. Omdat de capaciteit van de beveiliging snelle signalen verslechtert, wordt ze bij snelle I/O klein ontworpen.

Welk verschil tussen de ESD-test op componentniveau van een IC (HBM of CDM) en de ESD-test op systeemniveau die op het afgewerkte apparaat voor de auto wordt uitgevoerd, is juist?

  1. AHet zijn tests onder dezelfde condities, dus als het IC voor de test op componentniveau slaagt, hoeven er op de printplaat van het apparaat geen beveiligingscomponenten te worden toegevoegd
  2. BDe test op componentniveau gaat uit van de hantering tijdens productie en assemblage, de test op systeemniveau gaat onder meer uit van aanraking door mensen tijdens gebruik, en de ontladingsenergie is veel groter
  3. CBij de test op systeemniveau is de ontladingsenergie klein, dus deze is altijd gemakkelijker te halen dan de test op componentniveau
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De test op componentniveau gaat uit van de hantering tijdens productie en assemblage, de test op systeemniveau gaat onder meer uit van aanraking door mensen tijdens gebruik, en de ontladingsenergie is veel groter

HBM en CDM zijn tests die uitgaan van statische elektriciteit bij de hantering van IC's in een beheerste fabriek; voor HBM is een spanningsbestendigheid van bijvoorbeeld circa 2 kV een gangbare richtwaarde. De test op systeemniveau gaat daarentegen uit van onder meer ontlading van een persoon die een portier of schakelaar aanraakt, met hoge spanningen van enkele kV tot ruim tien kV (bij luchtontlading tot circa 25 kV), en ook de ontladingsenergie is veel groter. Vaak zijn de beveiligingscircuits in het IC alleen hier niet tegen bestand, dus voor pinnen die naar buiten zijn verbonden worden beveiligingscomponenten zoals TVS-diodes op de printplaat toegevoegd.

Veelgestelde vragen

Wat is het verschil tussen HBM- en CDM-ESD?

HBM modelleert een opgeladen persoon die via 1,5 kΩ vanuit 100 pF in een pin ontlaadt. CDM modelleert het IC zelf dat is opgeladen en zeer snel ontlaadt wanneer een pin metaal raakt, wat het belangrijkste risico is bij geautomatiseerde assemblage.

Is de HBM-rating van een IC voldoende voor ESD-tests op systeemniveau?

Nee. HBM- en CDM-ratings dekken de hantering in de fabriek, terwijl tests op systeemniveau zoals IEC 61000-4-2 veel meer energie leveren. Pinnen die aan de buitenwereld zijn blootgesteld, hebben normaal externe beveiliging nodig, zoals TVS-diodes.

Wat is het verschil tussen ESD en latch-up?

ESD is een korte statische ontlading die oxides of junctions direct vernielt. Latch-up is een parasitaire thyristor in CMOS die aangaat en een grote stroom vasthoudt tot de voeding uit en weer aan wordt gezet.

“ESD (elektrostatische ontlading)” in de toelichting

Vragen met “ESD (elektrostatische ontlading)” (13)

  1. Wat is de belangrijkste rol van ESD-beschermingsdiodes die op de in- en uitgangsaansluitingen van een IC zijn aangesloten?
  2. Welk verschil tussen de ESD-test op componentniveau van een IC (HBM of CDM) en de ESD-test op systeemniveau die op het afgewerkte apparaat voor de auto wordt uitgevoerd, is juist?
  3. Wat wordt als ESD-maatregel (elektrostatische ontlading) aan de in- en uitgangsaansluitingen van een LSI aangebracht?
  4. Welke combinatie van benamingen is juist voor de ESD-testmodellen “ontlading wanneer een opgeladen persoon een IC-aansluiting aanraakt” en “ontlading wanneer de IC zelf is opgeladen en een aansluiting metaal raakt”?
  5. Een datasheet vermeldt "ESD-bestendigheid: HBM ±2 kV, CDM ±500 V". Welke interpretatie van deze waarden is juist?
  6. Welke vorm van doorslag kan optreden wanneer tussen gate en source een spanning wordt gezet die de nominale waarde ver overschrijdt?
  7. Waarom wordt geëist dat de latch-uptest van IC's voor auto's niet alleen bij kamertemperatuur maar ook bij de maximale bedrijfstemperatuur van het product wordt uitgevoerd?
  8. Welke norm wordt veel gebruikt als maatstaf voor betrouwbaarheidstests van geïntegreerde schakelingen voor voertuigen?
  9. Welke term in een cleanroom verwijst niet naar deeltjes maar naar gasvormige verontreinigingen (zuren, basen, organische stoffen enz.)?
  10. Welk apparaat in een cleanroom levert ionen aan de lucht om de elektrostatische lading van wafers en apparatuur te neutraliseren?
  11. Welke reden om de luchtvochtigheid van een cleanroom niet extreem laag te laten worden is juist?
  12. Wat is de belangrijkste reden dat in cleanrooms voor vloeren en werkbanken geleidende materialen (die statische lading afvoeren) worden gebruikt?
  13. Wat betekent het als een ingang in de datasheet als "5 V-tolerant" wordt aangeduid?

Verwante termen

HBM (high bandwidth memory) TDDB (time-dependent dielectric breakdown) Latch-up CMOS NBTI HAST (highly accelerated stress test) Numerieke apertuur (NA) Vermogens-MOSFET (power MOSFET) AEC-Q100 Moleculaire verontreiniging (AMC)

Naar de woordenlijst