Nederlands
Menu

Betrouwbaarheid

Hoe heet de degradatie waarbij bij een nMOS-transistor met high-k/metal gate de drempelspanning verandert als langdurig een positieve spanning en hoge temperatuur op de gate worden aangelegd?

  1. ALatch-up
  2. BPBTI (positive bias temperature instability)
  3. CElektromigratie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. PBTI (positive bias temperature instability)

PBTI is een degradatie waarbij door een positieve gatespanning en hoge temperatuur op een nMOS elektronen in defecten in de high-k-laag worden gevangen en de drempelspanning stijgt. Bij een SiO2-gate-isolator was het klein, maar het werd een probleem met de introductie van high-k-materialen zoals HfO2 met veel defecten. Het is het tegenstuk van NBTI bij pMOS, en beide maken de schakeling trager. Latch-up en elektromigratie zijn andere storingen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Betrouwbaarheid

  1. Hoe heet de aanpak in het ontwerp van geavanceerde LSI’s waarbij, rekening houdend met degradatie van transistors door BTI en HCI tijdens de gebruiksperiode, wordt gecontroleerd of de timing ook met de eigenschappen na degradatie wordt gehaald?
  2. Welk model wordt vaak gebruikt om bij het schatten van de werkelijke levensduur uit resultaten van tests met hoge temperatuur en hoge vochtigheid de invloed van vochtigheid als macht van de relatieve vochtigheid uit te drukken?
  3. Wat is de juiste reden dat bij de levensduur van doorslag van de gate-isolator rekening moet worden gehouden met het verschil tussen de oppervlakte van het teststructuurtje en de totale gateoppervlakte van de werkelijke chip?
  4. Op welke plaats zijn defecten bekend het meest waarschijnlijk wanneer bij soldeerbumps van flip-chips elektromigratie door grote stroom een probleem wordt?
  5. Welke uitspraak over de aandachtspunten bij beoordeling is juist, doordat bij BTI-degradatie een deel van de verandering van de drempelspanning herstelt wanneer de belasting wordt weggenomen?