Was ist HEMT (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit)?

Ein Transistor, der das an einer Heteroübergangsgrenzfläche gebildete zweidimensionale Elektronengas mit hoher Beweglichkeit als Kanal nutzt. Er wird in Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen eingesetzt.

Japanische Bezeichnung: HEMT(高電子移動度トランジスタ)

Fachgebiet: Verbindungshalbleiter

Verwandte Begriffe

2DEG (zweidimensionales Elektronengas) Direkter Halbleiter (direkte Bandlücke) Effizienz-Droop Ga2O3 (Galliumoxid) GaAs (Galliumarsenid) GaN (Galliumnitrid) Halbleiter mit großer Bandlücke (Wide-Bandgap) III-V-Verbindungshalbleiter InP (Indiumphosphid) Mischkristall-Halbleiter

Zurück zum Glossar