Halfgeleiders voor auto's en functionele veiligheid
Wat is de meest geschikte aanpak voor de keuze tussen IGBT, SiC-MOSFET en GaN-HEMT bij vermogensconversie in elektrische voertuigen?
- AGaN-HEMT's zijn bij elke spanning het best, dus het is gebruikelijk alles, inclusief tractie-inverters van de 1200 V-klasse, door GaN te vervangen
- BIGBT's schakelen het snelst en zijn daarom het meest geschikt voor compacte DC-DC-converters die op hoge frequenties in de MHz-klasse werken
- CVoor tractie-inverters met hoge spanning en grote stroom worden Si-IGBT's en SiC-MOSFET's gebruikt, en in boordladers en DC-DC-converters die met hoge frequenties compacter moeten worden, wordt ook steeds vaker GaN toegepast
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Voor tractie-inverters met hoge spanning en grote stroom worden Si-IGBT's en SiC-MOSFET's gebruikt, en in boordladers en DC-DC-converters die met hoge frequenties compacter moeten worden, wordt ook steeds vaker GaN toegepast
IGBT's zijn geschikt voor hoge spanning en grote stroom en zijn goedkoop, maar door de staartstroom bij het uitschakelen niet geschikt voor hoge frequenties. SiC-MOSFET's hebben ook in de 1200 V-klasse weinig verlies en worden steeds breder toegepast in onder meer tractie-inverters voor 800 V-systemen. GaN-HEMT's blinken vooral uit in zeer snel schakelen in de 650 V-klasse en lager, en worden in gebruik genomen in boordladers en DC-DC-converters waarbij de frequentie omhoog moet om componenten te verkleinen. Het is belangrijk materiaaleigenschappen en kosten te vergelijken en per toepassing te kiezen.
Verder: nog 9 vragen over Halfgeleiders voor auto's en functionele veiligheid