Vermogenshalfgeleiders
Wat is het juiste kanaal waardoor de stroom vloeit in een GaN-HEMT?
- AEen p-type inversielaag onder de gate
- BEen dikke n-type laag met een hoge onzuiverheidsdoping
- CEen tweedimensionaal elektronengas (2DEG) dat door polarisatie aan het AlGaN/GaN-grensvlak ontstaat
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Een tweedimensionaal elektronengas (2DEG) dat door polarisatie aan het AlGaN/GaN-grensvlak ontstaat
In een GaN-HEMT ontstaat aan het grensvlak van AlGaN en GaN door het verschil tussen spontane en piëzo-elektrische polarisatie een tweedimensionaal elektronengas (2DEG) met een hoge dichtheid van ca. 10¹³ cm⁻². Omdat elektronen zonder dotering ontstaan, is er weinig verstrooiing en is de mobiliteit hoog, ca. 2000 cm²/V·s, zodat een lage aan-weerstand en snel schakelen samengaan. Omdat het 2DEG ook bij 0 V gatespanning aanwezig is, is de basisstructuur van het normally-on-type.