Sputteren waarbij achter het target magneten zijn geplaatst en een magnetisch veld elektronen dicht bij het target insluit, zodat de plasmadichtheid toeneemt. De afzettingssnelheid stijgt en het is de huidige standaard voor sputterapparatuur.
Japanse benaming: マグネトロンスパッタリング
“Magnetronsputteren” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Laagafzetting (CVD, PVD).
Vakgebied: Laagafzetting (CVD, PVD)
Antwoord: C. Met een magnetisch veld elektronen dicht bij het target insluiten, zodat de plasmadichtheid en de depositiesnelheid toenemen
Een magneet achter het target creëert dicht bij het oppervlak een magnetisch veld loodrecht op het elektrische veld, waardoor elektronen in een spiraalbeweging blijven en de ionisatie van het gas wordt bevorderd, zodat een plasma met hoge dichtheid ontstaat. Hierdoor wordt ook bij een lage druk van circa 0,1 tot 1 Pa een hoge depositiesnelheid bereikt en neemt de verhitting van de wafer door inslaande elektronen af. Het target slijt alleen op de plaatsen met een sterk magnetisch veld, waardoor een groef (erosie) ontstaat; de magneet wordt daarom geroteerd om het materiaalgebruik te verhogen.
Plasma Erosie (erosion) ALD (atomic layer deposition) CVD Elektrolytisch plateren (ECP) Elektrostatische chuck (ESC) Gebiedsselectieve depositie (area-selective deposition) HDP-CVD (high-density plasma CVD) LPCVD (low-pressure CVD) PECVD (plasma-enhanced CVD)