CMP und Reinigung

Welche Kombination von Arten der Kontamination auf der Waferoberfläche, die durch die Reinigung entfernt werden sollen, ist richtig?

  1. ALicht, Schall, Wärme
  2. BElektronen, Löcher, implantierte Dotierstoffe
  3. CPartikel, metallische Verunreinigungen, organische Verunreinigungen, natürliches Oxid usw.
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Antwort: C. Partikel, metallische Verunreinigungen, organische Verunreinigungen, natürliches Oxid usw.

Zu den durch Reinigung zu entfernenden Verunreinigungen gehören feine Partikel, metallische Verunreinigungen wie Eisen, Kupfer und Natrium, organische Stoffe wie Resistreste und aus der Luft anhaftende Gase, unerwünschtes natürliches Oxid und Mikrorauheit der Oberfläche. Sie werden entfernt, indem jeweils geeignete Chemikalien (SC-1, SC-2, SPM, verdünnte Flusssäure usw.) mit physikalischen Kräften (Bürsten, Megaschall) kombiniert werden, wobei zugleich das Material nicht geschädigt werden darf.

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