첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
MoS2 등 2차원 재료를 채널로 사용하는 트랜지스터에서 원자층 증착(ALD)으로 High-k 게이트 절연막을 균일하게 성막하기 어려운 주된 이유로 올바른 것은?
- A2차원 재료는 금속이므로 절연막과 반응해 버리기 때문에
- B표면에 댕글링 본드가 거의 없어, ALD 원료가 흡착하여 막이 성장하기 시작하는 자리가 적기 때문에
- C2차원 재료의 표면은 요철이 커서 ALD 원료가 깊은 곳까지 닿지 않기 때문에
정답과 해설 보기
정답: B. 표면에 댕글링 본드가 거의 없어, ALD 원료가 흡착하여 막이 성장하기 시작하는 자리가 적기 때문에
2차원 재료는 층 표면에 남는 결합손(댕글링 본드)이 없어, 1 nm 이하의 두께에서도 이동도가 잘 떨어지지 않는다는 장점이 있습니다. 그러나 같은 성질 때문에 ALD 원료가 표면에 화학적으로 흡착하기 어렵고, 막은 결함이나 결정립계 등에서 섬 모양으로 성장하여 얇고 균일한 절연막이 되기 어렵습니다. 플라즈마를 사용하는 방법은 막을 손상시키기 쉬우므로, 씨앗이 되는 얇은 층을 먼저 만드는 등의 방법이 연구되고 있습니다.