첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

2차원 재료 가운데 그래핀이 아니라 MoS2 등 전이 금속 디칼코게나이드가 논리 회로 트랜지스터의 채널로 주로 검토되고 있는 이유로 올바른 것은?

  1. A그래핀에는 밴드갭이 없어 게이트 전압으로 전류를 충분히 차단할 수 없기 때문에
  2. B그래핀은 두께가 1 cm 이상이 아니면 안정하지 않기 때문에
  3. C그래핀은 전기를 통하지 않는 절연체이기 때문에
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정답: A. 그래핀에는 밴드갭이 없어 게이트 전압으로 전류를 충분히 차단할 수 없기 때문에

그래핀은 이동도가 매우 높은 반면 밴드갭이 없어 오프 상태에서도 전류가 흘러 버리므로, 온과 오프의 전류비를 크게 할 수 없습니다. MoS2나 WSe2 등 전이 금속 디칼코게나이드는 한 층이라도 밴드갭을 가지는 반도체로, 약 0.65 nm 두께의 채널에서도 트랜지스터로 동작합니다. 이 때문에 실리콘 나노시트를 더 얇게 하는 다음 후보로 연구되고 있습니다.

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