Pour les transistors dont le canal est en matériau 2D comme le MoS2, quelle est la principale raison pour laquelle il est difficile de déposer un diélectrique de grille high-k uniforme par dépôt de couches atomiques (ALD) ?

Réponse : B. Leur surface ne présente presque aucune liaison pendante, si bien qu'il y a peu de sites où les précurseurs ALD peuvent s'adsorber et amorcer la croissance du film

Comme les matériaux 2D n'ont pas de liaisons pendantes à la surface de leurs couches, leur mobilité se maintient même sous 1 nm d'épaisseur. Cette même propriété fait que les précurseurs ALD s'adsorbent difficilement de façon chimique sur la surface : les films germent en îlots sur les défauts et les joints de grains et ne forment pas de diélectrique mince et uniforme. Les méthodes utilisant un plasma tendent à endommager la couche, si bien qu'on étudie des approches comme la formation préalable d'une fine couche de nucléation.