첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
(100)면 웨이퍼 위에 일반적인 방향으로 만든 FinFET에서는 채널이 되는 핀의 측면이 주로 (110)면이 된다. 이것이 이동도에 미치는 영향으로 올바른 것은?
- A전자·정공 모두 이동도는 변하지 않는다
- B(100)면에 비해 정공의 이동도는 올라가고 전자의 이동도는 내려가는 경향이 있다
- C전자·정공 모두 이동도가 크게 올라간다
정답과 해설 보기
정답: B. (100)면에 비해 정공의 이동도는 올라가고 전자의 이동도는 내려가는 경향이 있다
실리콘의 이동도는 결정면과 전류의 방향에 의존하며, (110)면에서는 (100)면에 비해 정공의 이동도가 크고(약 2배) 전자의 이동도는 작아지는 경향이 있습니다. FinFET에서는 전류의 대부분이 측면을 흐르므로 pMOS에 유리하고 nMOS에 불리한 면방위가 됩니다. nMOS의 불리함은 변형 기술 등으로 보완합니다. 이 성질 덕분에 FinFET에서는 nMOS와 pMOS의 성능 차이가 평면형보다 작아졌습니다.
- A. 이동도는 결정면에 따라 달라집니다.
- B. 맞습니다. 정공은 유리하고 전자는 불리해지는 경향이 있습니다.
- C. 전자의 이동도는 (110)면에서는 오히려 내려가는 경향입니다.