첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

모놀리식 3D 집적이 따로 만든 칩을 접합해 쌓는 3D 패키징보다 층 사이를 훨씬 높은 밀도로 연결할 수 있는 주된 이유로 올바른 것은?

  1. A위아래 층을 솔더 범프로 연결하기 때문에
  2. B층 사이를 광 배선으로 연결하기 때문에
  3. C위층을 아래층 위에서 직접 만들고 리소그래피로 위치를 맞추므로, 일반 배선의 비아와 같은 정도의 크기로 연결할 수 있기 때문에
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정답: C. 위층을 아래층 위에서 직접 만들고 리소그래피로 위치를 맞추므로, 일반 배선의 비아와 같은 정도의 크기로 연결할 수 있기 때문에

칩이나 웨이퍼를 접합하는 방식에서는 접합의 위치 맞춤 정밀도와 접속부의 크기로 연결 밀도가 정해집니다. 모놀리식 3D 집적에서는 1층 위에 얇은 반도체층을 형성하거나 접합하고, 2층의 트랜지스터를 리소그래피로 위치를 맞춰 만들기 때문에, 층 사이를 배선 비아와 같은 정도의 미세함으로 연결할 수 있습니다. 대신 아래층을 손상시키지 않도록 위층은 대체로 500 ℃ 이하에서 만들어야 합니다.

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