첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
FinFET의 구조적 특징으로 올바른 것은?
- A지느러미(핀) 모양으로 세운 채널을 게이트가 3방향에서 둘러싼다
- B채널의 윗면만 평면 게이트로 덮는다
- C게이트 절연막 없이 금속을 채널에 직접 접촉시킨다
정답과 해설 보기
정답: A. 지느러미(핀) 모양으로 세운 채널을 게이트가 3방향에서 둘러싼다
FinFET은 실리콘을 폭 수 nm~십수 nm, 높이 수십 nm의 지느러미(핀)처럼 세우고 그 양 측면과 윗면을 게이트로 둘러싼 입체 구조의 트랜지스터입니다. 게이트가 3방향에서 채널을 제어하므로 평면형보다 단채널 효과를 억제하기 쉽고 오프 시의 누설을 줄일 수 있습니다. 또한 높이 방향으로 전류 통로를 확보할 수 있어 작은 면적에서 큰 전류를 얻을 수 있습니다. 22 nm 세대부터 첨단 로직의 표준이 되었습니다.