첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

GAA(게이트 올 어라운드)형 트랜지스터에 대한 설명으로 올바른 것은?

  1. A채널의 윗면만 게이트가 덮는다
  2. B나노시트 등 채널의 전체 둘레를 게이트가 둘러싼다
  3. C게이트 없이 소스와 드레인만으로 동작한다
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정답: B. 나노시트 등 채널의 전체 둘레를 게이트가 둘러싼다

GAA형은 두께 수 nm의 얇은 시트 모양(나노시트)이나 가는 선 모양의 채널을 여러 장 쌓고 그 전체 둘레를 게이트로 둘러싼 구조입니다. 4방향에서 제어하므로 FinFET보다 게이트의 지배력이 더 강하고, 더 짧은 게이트 길이까지 단채널 효과를 억제할 수 있습니다. 삼성전자가 3 nm 세대(2022년), TSMC가 2 nm 세대, Intel이 18A 세대에서 채택하여 FinFET 다음의 표준 구조가 되고 있습니다.

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