Wat is bij transistors met een kanaal van 2D-materialen zoals MoS2 de belangrijkste reden dat het moeilijk is om met atomic layer deposition (ALD) een uniform high-k-gatediëlektricum af te zetten?

Antwoord: B. Hun oppervlak heeft bijna geen dangling bonds, zodat er weinig plaatsen zijn waar ALD-precursors kunnen adsorberen en de groei van de laag kan beginnen

Omdat 2D-materialen geen vrije bindingen (dangling bonds) aan het oppervlak van hun lagen hebben, behouden ze hun mobiliteit ook bij een dikte onder 1 nm. Door dezelfde eigenschap adsorberen ALD-precursors echter nauwelijks chemisch aan het oppervlak, zodat lagen als eilandjes beginnen te groeien vanuit defecten en korrelgrenzen en er geen dun, uniform diëlektricum ontstaat. Methoden met plasma beschadigen de laag gemakkelijk, dus er worden oplossingen onderzocht zoals eerst een dunne kiemlaag vormen.