분광 엘립소메트리와 분광 반사율 측정의 차이: 측정량·극박막 감도·다층막 비교

두 방법 모두 웨이퍼에 빛을 비추고 반사를 측정해 박막의 두께를 비접촉·비파괴로 구합니다. 분광 엘립소메트리는 편광된 빛을 비스듬히 입사시키고, 반사로 편광이 어떻게 바뀌는지(Psi와 Delta)를 파장마다 측정합니다. 분광 반사율 측정은 보통 수직 입사로 비추고 반사광 세기의 스펙트럼(반사율)을 측정합니다. 둘 다 광학 모델을 맞춰 두께를 구하지만, 엘립소메트리는 위상 정보도 쓰므로 두께 수 나노미터의 막, 다층 구조, 광학 상수에 강하고, 반사율 측정은 더 간단하고 빨라 두꺼운 막의 두께 관리에 적합합니다.

비교 항목분광 엘립소메트리분광 반사율 측정
측정하는 것p 편광과 s 편광 반사의 진폭비(tan Psi)와 위상차(Delta)반사광 세기의 스펙트럼(반사율)
조사 방식비스듬한 각도(보통 약 60~75도)의 편광보통 수직 입사. 편광 제어는 필요 없습니다
얻는 결과두께와 광학 상수(굴절률 n과 소광 계수 k)를 함께 구할 수 있습니다주로 두께. 보통 알려진 광학 상수를 가정합니다
모델 의존성강함. 막 구조와 분산의 모델을 피팅해 값을 얻습니다이것도 모델 기반입니다. 두꺼운 단층막은 간섭 무늬 간격에서 두께를 비교적 직접 얻을 수 있지만, 결과는 가정한 광학 상수에 좌우됩니다
극박막(수 nm 이하)에 대한 감도높음. Delta는 0.1 nm 미만의 차이도 구별하므로 자연 산화막과 게이트 절연막을 측정할 수 있습니다낮음. 간섭 무늬가 나타나지 않고 반사율 변화도 작아 정밀도가 떨어집니다
적합한 두께 범위(대략적 기준)1 nm 미만부터 수 마이크로미터까지수십 나노미터부터 수십 마이크로미터까지
다층막강함. 파장마다 두 개의 양이 있어 각 층의 두께와 광학 상수를 분리하기 쉽습니다층이 늘어날수록 각 층을 분리하기 어려워집니다
장비와 속도편광자를 포함한 광학계가 더 복잡합니다. 비스듬한 빔으로 스폿이 길쭉해지고 한 점당 시간이 조금 더 걸립니다간단하고 빠르며 스폿을 작게 하기 쉽습니다. 다른 장비에 내장하기 쉽습니다
대표 용도게이트 절연막과 high-k 절연막, 얇은 산화막과 질화막, 다층막의 두께와 광학 상수, 광학 치수 계측(스캐터로메트리)레지스트와 두꺼운 산화막이나 층간 절연막의 두께, CMP 등의 장비에 내장한 두께 모니터링

수치는 대략적인 자릿수 기준이며, 공정 세대와 제품에 따라 달라져요.

상황별 선택 기준

분광 엘립소메트리
두께 수 나노미터의 막이나 다층 구조의 두께를 정확히 알아야 할 때, 또는 광학 상수도 필요할 때. 0.1 nm의 차이가 중요한 게이트 절연막 같은 막에 적합합니다.
분광 반사율 측정
막이 수십 나노미터 이상으로 두껍고 많은 점을 빠르게 측정하고 싶을 때. 광학계가 간단해 성막 장비나 CMP 장비에 내장하는 두께 모니터링에도 흔히 쓰입니다.

자주 묻는 질문

엘립소메트리의 Psi와 Delta는 무엇인가요?

반사광의 p 편광 성분과 s 편광 성분의 비를 나타내는 값으로, tan Psi는 진폭비, Delta는 위상차입니다. 둘 다 막의 두께와 광학 상수에 따라 바뀌므로, 광학 모델을 이 값들에 피팅해 두께와 굴절률을 구합니다.

엘립소메트리는 왜 극박막에 그렇게 강한가요?

위상차 Delta는 두께 수 나노미터 이하의 막에서도 뚜렷하게 바뀌기 때문입니다. 두 편광 성분의 비를 측정하므로 광원 세기의 변동에도 영향을 덜 받고, 기준 시료가 필요 없습니다.

분광 반사율 측정은 어떻게 두께를 구하나요?

막의 윗면에서 반사된 빛과 아래 계면에서 반사된 빛이 간섭해, 어떤 파장은 강해지고 어떤 파장은 약해집니다. 막이 두꺼울수록 간섭 무늬의 간격이 좁아지므로 반사율 스펙트럼에서 두께를 구할 수 있습니다. 실리콘 위의 산화막이 색을 띠어 보이는 것과 같은 현상입니다.

측정한 두께는 어디까지 믿을 수 있나요?

두 방법 모두 광학 모델을 피팅하는 간접 측정입니다. 가정한 막 구조나 광학 상수가 틀리면 결과도 틀립니다. 새로운 막에서는 보통 먼저 TEM 단면이나 X선 반사율(XRR)과 대조해 모델을 확인합니다.

이해도 확인

엘립소메트리(분광 엘립소메트리)로 주로 측정하는 것은?

  1. A시료에 전류를 흘렸을 때의 저항
  2. B반사광의 편광 상태 변화로부터 구하는 박막의 막 두께나 굴절률
  3. C이온으로 깎아낸 시료의 질량 스펙트럼
정답과 해설 보기

정답: B. 반사광의 편광 상태 변화로부터 구하는 박막의 막 두께나 굴절률

엘립소메트리는 편광된 빛을 비스듬히 입사시키고, 반사광의 p편광과 s편광의 진폭비(tanΨ)와 위상차(Δ)를 측정하여 광학 모델로 계산한 값과 맞추어 박막의 막 두께나 굴절률을 구하는 방법입니다. 파장을 바꿔 측정하는 분광 엘립소메트리에서는 다층막도 해석할 수 있으며 0.1 nm 이하의 재현성을 얻을 수 있습니다. 비접촉·비파괴이므로 산화막 등의 막 두께 관리에 널리 사용됩니다. 저항이나 질량 스펙트럼은 측정하지 않습니다.

실리콘 위의 산화막이 막 두께에 따라 여러 색으로 보이는 이유로 올바른 것은?

  1. A산화막에 포함된 불순물의 색
  2. B산화막의 표면과 이면(실리콘과의 계면)에서 반사된 빛의 간섭
  3. C산화막 자체가 발광하고 있기 때문
정답과 해설 보기

정답: B. 산화막의 표면과 이면(실리콘과의 계면)에서 반사된 빛의 간섭

SiO2 자체는 투명하지만, 막 표면에서 반사된 빛과 실리콘과의 계면에서 반사된 빛이 간섭하여 막 두께에 따라 특정 파장(색)이 보강되어 보입니다. 예를 들어 약 100 nm에서 갈색~보라색, 약 300 nm에서 파란색, 약 500 nm에서 녹색 계열로 보이며, 같은 색이 막 두께에 따라 주기적으로 반복됩니다. 색을 보면 대략적인 막 두께를 알 수 있어 예전에는 색상 표로 확인했습니다. 정밀한 측정에는 엘립소메트리나 분광 간섭을 사용합니다.

X선을 매우 얕은 각도로 입사시켜 반사율의 진동으로부터 박막의 두께나 밀도를 구하는 수법은?

  1. ASIMS
  2. BX선 반사율법(XRR)
  3. C4탐침법
정답과 해설 보기

정답: B. X선 반사율법(XRR)

XRR에서는 X선을 얕은 각도로 입사시켰을 때의 반사율을 각도를 바꿔 가며 측정합니다. 막의 표면과 계면에서 반사된 X선이 간섭하여 반사율이 진동하므로, 그 주기로부터 막 두께를, 전반사가 일어나는 임계각으로부터 막의 밀도를, 진동의 감쇠로부터 계면 거칠기를 구할 수 있습니다. 광학 상수를 가정하지 않고 측정할 수 있어 수 nm의 극박막 평가에 적합합니다. SIMS와 4탐침법은 다른 양을 측정합니다.

  1. 고농도 기판 위의 저농도 에피층의 두께를 적외선의 간섭을 이용해 측정하는 방법은?
  2. 장비 상태 확인이나 막 두께 측정 등을 위해 제품과는 별도로 공정에 흘리는 웨이퍼를 무엇이라고 합니까?

계측과 분석 문제 풀기

주요 용어 설명

엘립소메트리(Ellipsometry)
편광된 빛을 조사하여 반사에 의한 편광 상태의 변화로부터 박막의 두께와 굴절률을 구하는 측정법. 비파괴로 측정할 수 있다.
굴절률
진공 중의 빛의 속도를 물질 속의 빛의 속도로 나눈 값. 파장 1.55 µm에서 실리콘은 약 3.48, 산화막(SiO2)은 약 1.45이며, 이 차이가 클수록 빛을 작은 도파로에 강하게 가둘 수 있다.
열산화
실리콘을 산소나 수증기 속에서 가열하여 표면에 SiO2막을 만드는 방법. 건식 산화와 습식 산화가 있다.
자연 산화막(Native Oxide)
실리콘이 공기나 물에 닿아 자연스럽게 생기는 두께 1 nm 안팎의 얇은 산화막. 접촉 저항 증가와 에피택셜 성장의 방해가 되므로 필요한 공정 직전에 제거한다.
포토레지스트(Photoresist)
빛에 반응하여 현상액에 대한 용해성이 변하는 감광성 재료. 포지티브형은 노광부가 녹고, 네거티브형은 노광부가 남는다.
CMP
화학 기계 연마. 슬러리의 화학 작용과 패드의 기계적 연마를 결합해 웨이퍼 표면을 평탄화한다.
모니터 웨이퍼(Monitor Wafer)
장비 상태 확인이나 막 두께·파티클 측정 등을 위해 제품과 별도로 공정에 투입하는 웨이퍼. 테스트 웨이퍼라고도 한다. 사용 후 막을 제거하고 다시 연마하여 재생 웨이퍼로 재사용하는 경우가 많다.

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