포지티브 vs 네거티브 포토레지스트: 차이점 설명
포토레지스트는 회로 패턴을 담는 감광성 코팅입니다. 포지티브 레지스트에서는 빛에 노출된 부분이 용해되기 쉬워져 현상액에 씻겨 나가므로 패턴이 마스크와 같습니다. 네거티브 레지스트에서는 노출된 부분이 경화되어 남으므로 패턴이 마스크의 반전이 됩니다. 반도체 제조의 미세 패터닝에는 포지티브 레지스트가 주로 쓰이고, 네거티브 레지스트는 두꺼운 막이나 특수한 프로파일이 필요한 곳에 쓰입니다.
| 비교 항목 | 포지티브 레지스트 | 네거티브 레지스트 |
|---|---|---|
| 빛의 효과 | 노출된 부분이 용해성이 되어 현상액에 제거됨 | 노출된 부분이 불용성(가교)이 되어 남음 |
| 마스크 대비 패턴 | 동일한 극성: 레지스트 패턴이 마스크를 그대로 복제 | 반전된 극성: 마스크가 투명한 곳에 레지스트가 남음 |
| 해상도 | 높아 미세 패턴에 적합 | 전통적으로 더 낮음. 현상액에서 레지스트가 팽윤할 수 있기 때문 |
| 현상액 | 보통 수성 알칼리 용액(TMAH 등) | 전통적으로 유기 용제. 최신 레지스트의 네거티브 톤 현상도 용제를 사용 |
| 측벽 프로파일 | 약간 경사진 형태에서 거의 수직까지 | 언더컷을 만들 수 있어 리프트오프 공정에 유리 |
| 대표 재료 | 디아조나프토퀴논(DNQ) 억제제를 쓴 노볼락; KrF, ArF, EUV용 화학 증폭형 폴리머 | 비스아자이드를 쓴 환화 고무(구형); 두꺼운 MEMS 구조용 에폭시 기반 SU-8 |
| 두꺼운 막 | 덜 일반적 | 적합: SU-8로 높은 종횡비의 키 큰 구조를 만들 수 있음 |
| 대표 용도 | 거의 모든 현대 IC 리소그래피 | MEMS, 리프트오프 패터닝, 인쇄회로기판, 패키징용 두꺼운 층, 첨단 노드의 일부 특수 층 |
수치는 대략적인 자릿수 기준이며, 공정 세대와 제품에 따라 달라져요.