Lithographie
Quelle description du double patterning (multipatterning) est correcte ?
- AExposer simultanément deux wafers
- BFormer des motifs à pas trop fin pour être résolus en une seule exposition en répartissant le travail sur plusieurs expositions ou étapes d'usinage
- CDoubler la résolution en enduisant simplement deux couches de résine
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Réponse : B. Former des motifs à pas trop fin pour être résolus en une seule exposition en répartissant le travail sur plusieurs expositions ou étapes d'usinage
Le double patterning forme des motifs à pas trop fin pour une seule exposition, soit en les divisant en deux motifs décimés exposés et gravés séparément (LELE), soit en doublant les lignes grâce à des espaceurs déposés sur les flancs (SADP, SAQP). Il a permis de poursuivre la miniaturisation au-delà de la limite de l'ArF à immersion (pas d'environ 80 nm) jusqu'à des pas de l'ordre de 20 nm, mais le nombre d'étapes, de masques et le coût augmentent fortement, ce qui a motivé l'introduction de la lithographie EUV.