Mémoires émergentes
Quel est le principe de mémorisation de la ReRAM (mémoire résistive) ?
- ALa différence d'orientation de l'aimantation d'une couche magnétique
- BL'application d'une tension à un oxyde métallique ou matériau analogue pour basculer entre un état de forte résistance et un état de faible résistance
- CLa présence ou l'absence de charge stockée dans un condensateur
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Réponse : B. L'application d'une tension à un oxyde métallique ou matériau analogue pour basculer entre un état de forte résistance et un état de faible résistance
La ReRAM a une structure simple, constituée d'une couche mince d'oxyde métallique ou analogue prise entre deux électrodes ; sous tension, un filament conducteur formé par l'agrégation de lacunes d'oxygène apparaît ou se rompt, et la résistance varie d'un facteur 10 ou plus. Les éléments étant petits et fabricables dans les étapes d'interconnexion, elle se prête à l'intégration avec la logique et à la haute densité par structure crosspoint. Elle est commercialisée comme mémoire embarquée de microcontrôleurs ; la forte dispersion de la résistance reste un problème.