Étape d'initialisation d'une ReRAM après fabrication, consistant à appliquer une tension relativement élevée pour créer le filament conducteur à l'origine de la variation de résistance.
Nom japonais: フォーミング
« Formage (forming) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Mémoires émergentes.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : B. Forming
La plupart des ReRAM sont de forte résistance juste après fabrication et nécessitent l'application initiale d'une tension supérieure à celle du fonctionnement normal pour créer un chemin conducteur de lacunes d'oxygène ou analogue : c'est le forming. Ensuite, seule la partie fine à l'extrémité du filament est rompue ou reconnectée, ce qui permet de basculer entre forte et faible résistance à plus basse tension. Une tension de forming élevée pesant sur les circuits périphériques, des matériaux et structures qui la rendent inutile sont également étudiés.
La plupart des ReRAM sont de forte résistance juste après fabrication et nécessitent l'application initiale d'une tension supérieure à celle du fonctionnement normal pour créer un chemin conducteur de lacunes d'oxygène ou analogue : c'est le forming.
Comment appelle-t-on, dans une ReRAM, l'étape d'initialisat…ReRAM (mémoire résistive) 3D XPoint Calcul en mémoire (in-memory computing) Chalcogénure FeFET (transistor ferroélectrique) FeRAM (mémoire ferroélectrique) Jonction tunnel magnétique (MTJ) Mémoire crosspoint MRAM PCM (mémoire à changement de phase)