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Mémoires émergentes

Quelle mémoire présente généralement l'endurance en réécriture la plus faible ?

  1. ADRAM
  2. BSRAM
  3. CMémoire flash NAND
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Réponse : C. Mémoire flash NAND

La DRAM et la SRAM ne se dégradent pratiquement pas à la réécriture et ont une endurance de fait illimitée. La flash NAND se dégrade à chaque passage d'électrons à travers l'oxyde tunnel sous champ élevé, et son endurance est limitée à quelques milliers à quelques dizaines de milliers de cycles (d'autant moins qu'elle est multiniveau). Les nouvelles mémoires se situent entre les deux : environ 10⁶ à 10⁹ cycles pour la PCM et la ReRAM, plus de 10¹² pour la FeRAM et plus de 10¹⁰ (quasi illimité) pour la MRAM ; c'est un critère important de choix selon l'application.

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