Mémoires émergentes

Quel est un exemple de matériau étudié ou utilisé comme couche résistive de ReRAM ?

  1. ALe cuivre pur
  2. BDes oxydes métalliques comme l'oxyde d'hafnium ou l'oxyde de tantale
  3. CLe silicium monocristallin
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Des oxydes métalliques comme l'oxyde d'hafnium ou l'oxyde de tantale

La ReRAM utilise couramment des oxydes métalliques comme l'oxyde d'hafnium, l'oxyde de tantale ou l'oxyde de titane. Sous tension, les ions oxygène migrent, et un chemin conducteur formé par l'agrégation de zones déficitaires en oxygène (lacunes d'oxygène) apparaît ou disparaît, modifiant la résistance. L'oxyde d'hafnium et l'oxyde de tantale ayant été utilisés en CMOS comme diélectriques de grille ou de condensateur, les équipements et procédés existants peuvent facilement être réutilisés.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Mémoires émergentes

  1. Quel mécanisme d'économie d'énergie système est attendu de l'utilisation de mémoires non volatiles pour les caches ou les registres ?
  2. Quelle est une application typique de la FeRAM ?
  3. À quelle étape de fabrication d'un circuit logique LSI l'élément de mémorisation (MTJ) d'une MRAM est-il généralement intégré ?
  4. Quel phénomène, problématique lors de la miniaturisation des mémoires à changement de phase, correspond à la transmission de la chaleur d'écriture à une cellule voisine dont l'état est alors modifié ?
  5. Quel enjeu de conception découle du caractère probabiliste de l'écriture en STT-MRAM ?

Comparatifs sur ce thème