Électrode d'une cellule de mémoire flash entièrement entourée d'isolant. Y stocker des électrons modifie la tension de seuil du transistor, et les données sont conservées même hors tension.
Nom japonais: フローティングゲート
« Grille flottante » apparaît dans 10 questions d'entraînement réparties sur 5 thèmes, dont SRAM et mémoire flash, DRAM, MOSFET.
Domaine: SRAM et mémoire flash
Réponse : B. Elle diminue
La présence d'électrons (charge négative) sur la grille flottante compense une partie de la tension de grille : il faut une tension plus élevée pour former le canal, et la tension de seuil augmente. L'effacement, qui extrait les électrons, abaisse la tension de seuil ; l'écriture, qui en injecte, l'élève. En NAND, l'état effacé (seuil bas) est généralement noté « 1 » et l'état écrit « 0 », ce qui explique pourquoi le contenu d'une flash effacée vaut 0xFF.
La présence d'électrons (charge négative) sur la grille flottante compense une partie de la tension de grille : il faut une tension plus élevée pour former le canal, et la tension de seuil augmente.
Lors de l'effacement d'une mémoire flash, comment évolue la…À VGS = 0 V, il n’y a pas de canal et le transistor est bloqué ; même grille flottante, le courant passe difficilement (normalement bloqué), ce qui convient à la sûreté des circuits logiques et des applications de puissance.
Quelle est la condition de mise en conduction d’un MOSFET à…Six transistors constituent la cellule SRAM, et le transistor à grille flottante celle de la mémoire flash.
Quelle est la constitution correcte d'une cellule mémoire 1…La grille flottante et le piégeage de charge sont des structures de mémoire flash.
Quelle combinaison de structures tridimensionnelles a été u…Une cellule flash est un transistor doté, sous la grille, d'une grille flottante (ou d'une couche de piégeage de charges) qui stocke des électrons.
Quel principe d'écriture et d'effacement des données de la …Tension de seuil Mémoire non volatile MRAM Normalement bloqué (normally-off) Rapport d'aspect ReRAM (mémoire résistive) Jonction tunnel magnétique (MTJ) Oxydation thermique 3D NAND Amplification d'écriture (write amplification)