Quelle mémoire modifie sa résistance par la migration d'ions métalliques (argent, cuivre, etc.) dans un électrolyte solide, formant ou rompant un chemin conducteur ?

Réponse : A. CBRAM (mémoire à pont conducteur)

Dans la CBRAM, des ions métalliques se dissolvent depuis une électrode de métal actif (argent, cuivre, etc.) dans une couche d'électrolyte solide et migrent sous tension vers l'électrode opposée, formant un pont métallique conducteur, que la tension inverse dissout et rompt ; on bascule ainsi entre faible et forte résistance. Sa tension de fonctionnement et son énergie d'écriture sont faibles. Considérée comme un type de ReRAM au même titre que le type oxyde à lacunes d'oxygène, elle est commercialisée comme mémoire embarquée basse consommation.