Quel problème découle de la forte dispersion de la résistance des cellules ReRAM ?

Réponse : A. La marge permettant de distinguer forte et faible résistance diminue, ce qui rend difficiles le multiniveau et l'augmentation de capacité

Dans une ReRAM, l'épaisseur et la position du filament conducteur étant déterminées de façon probabiliste, la résistance varie d'une cellule à l'autre (variabilité inter-dispositifs) comme d'une écriture à l'autre dans une même cellule (variabilité inter-cycles). Lorsque les distributions de forte et faible résistance se rapprochent, la marge de lecture diminue et le multiniveau ou les grandes matrices deviennent difficiles à réaliser. Les contre-mesures sont la vérification après écriture avec ajustement des conditions, ou la limitation du courant maximal pour uniformiser la résistance.