Méthode de pulvérisation d'une cible métallique dans une atmosphère contenant un gaz réactif comme l'azote ou l'oxygène, pour déposer des films de nitrure ou d'oxyde. Utilisée notamment pour le nitrure de titane (TiN).
Nom japonais: 反応性スパッタリング
« Pulvérisation réactive » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : A. Empoisonnement de la cible
En pulvérisation réactive, lorsque le gaz réactif augmente, la surface même de la cible se couvre de nitrure ou d'oxyde. Le rendement de pulvérisation des composés étant inférieur à celui des métaux, la vitesse de dépôt chute brusquement à une fraction de sa valeur. C'est l'empoisonnement ; même en réduisant le gaz, le composé de surface ne disparaît pas immédiatement, et la vitesse de dépôt présente une hystérésis en fonction du débit de gaz. On y remédie par exemple en contrôlant le gaz à partir de l'émission optique du plasma pour stabiliser le fonctionnement dans la zone de transition.
En pulvérisation réactive, lorsque le gaz réactif augmente, la surface même de la cible se couvre de nitrure ou d'oxyde.
En pulvérisation réactive, comment appelle-t-on le phénomèn…La pulvérisation réactive ajoute à l'argon un gaz réactif comme l'azote ou l'oxygène et fait réagir le métal pulvérisé avec ce gaz pour former des films de nitrure ou d'oxyde.
Comment appelle-t-on la méthode consistant à pulvériser une…Débit (throughput) Rendement (yield) Plasma Masque dur Travail de sortie ALD Couverture de marche (step coverage) CVD Dépôt électrolytique (électroplacage) Dépôt par centrifugation (spin coating)