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Qu'est-ce que Travail de sortie ?

Différence d'énergie entre le niveau du vide et le niveau de Fermi, soit l'énergie minimale nécessaire pour extraire un électron d'un matériau. Il conditionne la tension de seuil des grilles métalliques et la hauteur des barrières Schottky.

Nom japonais: 仕事関数

« Travail de sortie » apparaît dans 6 questions d'entraînement réparties sur 4 thèmes, dont Physique des semi-conducteurs, Transistors avancés (FinFET et GAA), MOSFET.

Domaine: Physique des semi-conducteurs

S'entraîner : questions sur Travail de sortie

Quelle définition du travail de sortie d'un matériau est correcte ?

  1. ALa différence d'énergie entre le niveau du vide et le bas de la bande de conduction
  2. BLa différence d'énergie entre le bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence
  3. CLa différence d'énergie entre le niveau du vide et le niveau de Fermi
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Réponse : C. La différence d'énergie entre le niveau du vide et le niveau de Fermi

Le travail de sortie est l'énergie nécessaire pour extraire dans le vide un électron situé au niveau de Fermi ; c'est la différence entre le niveau du vide et le niveau de Fermi. Dans un semi-conducteur, le niveau de Fermi variant avec le dopage, le travail de sortie varie aussi (environ 4,05 à 5,17 eV pour le silicium). La différence de travail de sortie entre métal et semi-conducteur conditionne la barrière Schottky et la tension de seuil du MOS, et les matériaux de grille métallique (TiN, TiAl, etc.) sont choisis pour leur travail de sortie donnant le seuil visé.

« Travail de sortie » dans les explications

Questions mentionnant « Travail de sortie » (6)

  1. Quelle définition du travail de sortie d'un matériau est correcte ?
  2. Comment appelle-t-on la différence d'énergie entre le niveau du vide et le bas de la bande de conduction d'un semi-conducteur ?
  3. Comment évolue la tension de seuil si l’on augmente la concentration de dopants de la région de canal (substrat p) d’un nMOSFET ?
  4. Quel est l'un des principaux moyens d'ajuster la tension de seuil d'un transistor high-k/grille métallique ?
  5. Quelle est la définition du procédé gate-last (grille métallique de remplacement) ?
  6. Comment appelle-t-on la méthode consistant à pulvériser une cible de titane dans un gaz contenant de l'azote pour former un film de nitrure de titane (TiN) ?

Termes associés

Tension de seuil Niveau de Fermi Affinité électronique Zone de déplétion (zone de charge d'espace) Implantation ionique Mobilité FinFET GAA (grille enrobante, gate-all-around) High-k/grille métallique Tension de bandes plates

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