Methode waarbij een metalen target wordt gesputterd in een atmosfeer met een reactief gas zoals stikstof of zuurstof, om een nitride- of oxidelaag te maken. Wordt gebruikt voor het afzetten van onder meer titaniumnitride (TiN).
Japanse benaming: 反応性スパッタリング
“Reactief sputteren” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Laagafzetting (CVD, PVD).
Vakgebied: Laagafzetting (CVD, PVD)
Antwoord: A. Targetvergiftiging (poisoning)
Bij reactief sputteren raakt bij meer reactiegas het oppervlak van het target zelf bedekt met nitride of oxide. Omdat verbindingen een lagere sputteropbrengst hebben dan metalen, daalt de depositiesnelheid plotseling tot een fractie. Dit is targetvergiftiging (poisoning); ook als het gas wordt verminderd, wordt de verbinding op het oppervlak niet direct verwijderd, zodat de depositiesnelheid hysterese vertoont ten opzichte van de gasstroom. Tegenmaatregelen zijn onder meer het regelen van het gas door de plasma-emissie te bewaken en stabiel te werken in het overgangsgebied.
Bij reactief sputteren raakt bij meer reactiegas het oppervlak van het target zelf bedekt met nitride of oxide.
Hoe heet het verschijnsel bij reactief sputteren dat, als d…Reactief sputteren is een methode waarbij aan argon een reactief gas zoals stikstof of zuurstof wordt toegevoegd en bij het sputteren metaal en gas reageren tot een nitride- of oxidelaag.
Hoe heet de methode waarbij een titaniumtarget in een stiks…Plasma Sputteren ALD (atomic layer deposition) CVD Elektrolytisch plateren (ECP) Elektrostatische chuck (ESC) Gebiedsselectieve depositie (area-selective deposition) HDP-CVD (high-density plasma CVD) LPCVD (low-pressure CVD) Magnetronsputteren