Comment s’appelle le phénomène par lequel la diffusion du bore ou du phosphore est plus rapide pendant l’oxydation du silicium qu’en l’absence d’oxydation ?

Réponse : C. Diffusion accélérée par oxydation (OED)

Au cours de l’oxydation, du silicium interstitiel excédentaire à l’interface est injecté dans le silicium. Le bore et le phosphore diffusent facilement en s’associant au silicium interstitiel ; leur diffusion est donc plusieurs fois plus rapide pendant l’oxydation (diffusion accélérée par oxydation, OED). À l’inverse, l’antimoine diffuse principalement par l’intermédiaire des lacunes ; l’augmentation du silicium interstitiel réduit les lacunes et ralentit sa diffusion (diffusion retardée par oxydation). Cette différence a aussi servi d’indice pour élucider les mécanismes de diffusion.