Pulvérisation dans laquelle des aimants placés derrière la cible confinent les électrons près de celle-ci pour augmenter la densité du plasma. La vitesse de dépôt augmente ; c'est la technologie dominante des équipements de pulvérisation actuels.
Nom japonais: マグネトロンスパッタリング
« Pulvérisation magnétron » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : C. Confiner les électrons près de la cible par le champ magnétique pour augmenter la densité du plasma et la vitesse de dépôt
Les aimants placés derrière la cible créent près de sa surface un champ magnétique perpendiculaire au champ électrique ; les électrons y restent piégés en décrivant des spirales, ce qui favorise l'ionisation du gaz et produit un plasma dense. On obtient ainsi une vitesse de dépôt élevée même à basse pression, environ 0,1 à 1 Pa, et l'échauffement de la plaquette par bombardement électronique diminue. La cible ne s'érode que dans les zones de fort champ, où se forme un sillon (érosion) ; on fait donc tourner les aimants pour améliorer le taux d'utilisation.
Plasma Érosion ALD Couverture de marche (step coverage) CVD Dépôt électrolytique (électroplacage) Dépôt par centrifugation (spin coating) Dépôt sélectif par zone (area-selective deposition) Évaporation sous vide HDP-CVD (CVD par plasma haute densité)