Sputtern mit Magneten hinter dem Target, die Elektronen nahe dem Target einfangen und die Plasmadichte erhöhen. Es steigert die Abscheiderate und ist heute das gängige Sputterverfahren.
Japanische Bezeichnung: マグネトロンスパッタリング
Fachgebiet: Abscheidung (CVD und PVD)
ALD (Atomlagenabscheidung) CVD (chemische Gasphasenabscheidung) Elektrostatischer Chuck Flächenselektive Abscheidung (Area-Selective Deposition) Galvanische Abscheidung (Electroplating) HDP-CVD (Hochdichteplasma-CVD) Kantenbedeckung (Step Coverage) LPCVD (Niederdruck-CVD) PECVD (plasmaunterstützte CVD) Reaktives Sputtern