Phénomène de CMP où toute une zone d'interconnexions denses est surpolie avec l'isolant et se retrouve plus basse que les environs. Défaut typique, avec le dishing (creusement des lignes larges).
Nom japonais: エロージョン
« Érosion » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Gravure, Dépôt (CVD et PVD), CMP et nettoyage.
Domaine: CMP et nettoyage
Réponse : B. 5
La sélectivité vaut « vitesse du film à graver ÷ vitesse du masque (ou de la sous-couche) », soit 100 ÷ 20 = 5. Graver 500 nm d'oxyde érode 100 nm de masque ; compte tenu de la surgravure et de la dégradation du profil, le masque doit avoir au moins environ 150 à 200 nm d'épaisseur. Si la sélectivité est insuffisante, on épaissit le masque ou on passe à un masque dur.
La cible ne s'érode que dans les zones de fort champ, où se forme un sillon (érosion) ; on fait donc tourner les aimants pour améliorer le taux d'utilisation.
En pulvérisation magnétron, quel est le principal objectif …Le tungstène adhère mal directement à l'oxyde, et le fluor du précurseur WF6 réagit avec le silicium ou le titane sous-jacents en provoquant une érosion (wormholes, etc.) et de mauvais contacts.
Quelle est la principale raison de déposer un film mince co…L'érosion des parois internes par le plasma provoque contamination métallique (aluminium, etc.) et particules, et l'évolution de l'état des parois modifie les conditions de gravure.
Pourquoi utilise-t-on principalement des revêtements d'oxyd…Le surpolissage de toute une zone dense d'interconnexions, isolant compris, est l'érosion.
Quelle description du « dishing » survenant en CMP est corr…Plasma Sélectivité Surgravure Masque dur Pulvérisation magnétron Contact CVD Précurseur Stiction (adhérence) Dishing