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MOSFET

Quelle description du perçage (punch-through) d’un MOSFET est correcte ?

  1. ALa baisse de la mobilité du canal avec la température
  2. BLa jonction des zones de déplétion de source et de drain, qui laisse passer un courant non commandé par la grille
  3. CLe claquage de l’isolant de grille
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Réponse : B. La jonction des zones de déplétion de source et de drain, qui laisse passer un courant non commandé par la grille

Avec un canal court et un substrat faiblement dopé, la tension de drain étend la zone de déplétion côté drain jusqu’à celle de la source ; un courant circule alors en profondeur dans le substrat, indépendamment de la grille, et le transistor ne peut plus être bloqué. C’est le perçage. Les remèdes consistent à placer une couche fortement dopée sous la source et le drain (implantation halo/pocket), à rendre les jonctions moins profondes et, comme dans les FinFET et GAA, à entourer le canal par la grille pour supprimer les chemins de courant non commandés.

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