Quel est le principal objectif de l'implantation halo (poche), qui implante en oblique, aux extrémités de la source et du drain, des impuretés de même type que le canal ?

Réponse : B. Limiter les effets de canal court

L'implantation halo incline le wafer d'environ 20 à 45° pour introduire localement, près des extrémités de la source et du drain et en se glissant sous la grille, des impuretés de même type que le canal. L'extension de la zone de déplétion issue du drain étant limitée, la baisse de la tension de seuil et le perçage sont contenus même lorsque la longueur de grille diminue. La dégradation de la mobilité est moindre que si l'on dopait tout le canal, et cette technique était standard pour les transistors planaires miniaturisés.