Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle est la définition de la structure SOI (Silicon On Insulator) ?

  1. AUne structure de transistor sans diélectrique de grille
  2. BUne structure où les transistors sont fabriqués dans une fine couche de silicium située sur un oxyde enterré
  3. CUne structure empilant deux puces
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Une structure où les transistors sont fabriqués dans une fine couche de silicium située sur un oxyde enterré

Le SOI est une structure où les transistors sont fabriqués dans une fine couche de silicium située sur un oxyde enterré (couche BOX) dans le substrat de silicium. Les composants étant isolés du substrat, les capacités de jonction et les courants de fuite sont faibles et le latch-up ne se produit pas. Les plaquettes sont fabriquées notamment par le procédé Smart Cut, qui colle une plaquette oxydée puis amincit l'une des deux. Le SOI est largement utilisé pour les commutateurs haute fréquence (RF-SOI) et, en version FD-SOI, pour la basse consommation.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors avancés (FinFET et GAA)

  1. Quelle est la définition du DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) ?
  2. Comment ajuste-t-on la largeur de canal effective d'un transistor FinFET ?
  3. Quelle est la caractéristique du CFET (Complementary FET), étudié comme structure succédant au GAA ?
  4. Quel est l'un des principaux moyens d'ajuster la tension de seuil d'un transistor high-k/grille métallique ?
  5. Quelle est la définition du procédé gate-last (grille métallique de remplacement) ?

Comparatifs sur ce thème