Comment appelle-t-on, dans les transistors miniaturisés, la dispersion de la tension de seuil due aux fluctuations statistiques du nombre et de la position des atomes dopants dans le canal ?

Réponse : A. Fluctuation aléatoire de dopants (RDF)

Lorsque les transistors rétrécissent, le canal ne contient plus que quelques dizaines à quelques centaines d'atomes dopants, et les variations aléatoires de leur nombre et de leur disposition font varier la tension de seuil de plusieurs dizaines de mV. La dispersion est à peu près proportionnelle à « 1/√(surface de grille) » (loi de Pelgrom) et pose surtout problème dans les circuits utilisant de nombreux composants de dimension minimale, comme la SRAM. Le FinFET et le FD-SOI, qui permettent un canal non dopé, sont aussi avantageux à cet égard.