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Qu'est-ce que Gate-last (grille métallique de remplacement) ?

Procédé qui forme d'abord le transistor avec une grille factice, puis, après les étapes à haute température comme l'activation des source et drain, retire cette grille et la remplace par un film high-k et une grille métallique.

Nom japonais: ゲートラスト(リプレースメントメタルゲート)

« Gate-last (grille métallique de remplacement) » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Transistors avancés (FinFET et GAA), CMP et nettoyage.

Domaine: Transistors avancés (FinFET et GAA)

S'entraîner : questions sur Gate-last (grille métallique de remplacement)

Quelle est la définition du procédé gate-last (grille métallique de remplacement) ?

  1. ALa grille métallique est formée en premier, puis toutes les étapes à haute température sont réalisées
  2. BLe transistor est d'abord formé avec une grille factice, qui est retirée après les étapes à haute température et remplacée par une grille métallique
  3. CIl s'agit de fabriquer des transistors sans grille
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Réponse : B. Le transistor est d'abord formé avec une grille factice, qui est retirée après les étapes à haute température et remplacée par une grille métallique

Les étapes à haute température, comme le recuit d'activation des sources/drains (environ 1000 ℃), risquent de modifier le high-k et le travail de sortie de la grille métallique. En gate-last, les étapes à haute température sont d'abord réalisées avec une grille factice en polysilicium ; le diélectrique intercouche est aplani pour exposer la grille factice, qui est retirée, et la tranchée obtenue est remplie de high-k et de grille métallique. Adopté par Intel au nœud 45 nm, c'est aujourd'hui le procédé dominant.

« Gate-last (grille métallique de remplacement) » dans les explications

Questions mentionnant « Gate-last (grille métallique de remplacement) » (2)

  1. Quelle est la définition du procédé gate-last (grille métallique de remplacement) ?
  2. Quelle combinaison d'étapes utilisant le CMP est correcte ?

Termes associés

Recuit Travail de sortie CMP STI (isolation par tranchées peu profondes) CFET (FET complémentaire) DTCO (co-optimisation conception-technologie) EOT (épaisseur d'oxyde équivalente) FD-SOI (SOI totalement déplété) FinFET Fluctuation aléatoire des dopants (RDF)

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