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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quel est l'avantage du transistor SOI totalement déplété (FD-SOI) ?

  1. ALa couche de silicium peut être épaisse et fortement dopée
  2. BL'électrode de grille devient inutile
  3. CLe canal peut être peu dopé, ce qui limite la dispersion de la tension de seuil, et la polarisation du substrat permet d'ajuster facilement le seuil
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Réponse : C. Le canal peut être peu dopé, ce qui limite la dispersion de la tension de seuil, et la polarisation du substrat permet d'ajuster facilement le seuil

En FD-SOI, toute la couche de silicium extrêmement mince, d'environ 5 à 7 nm, est déplétée ; les effets de canal court sont limités sans doper le canal et la dispersion due aux fluctuations aléatoires de dopants diminue. En outre, une tension appliquée côté substrat à travers le mince oxyde enterré (environ 20 nm) permet de modifier dynamiquement le seuil ; le FD-SOI est utilisé pour l'IoT basse tension et basse consommation, l'automobile et la RF.

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