Oxydation et diffusion
Quelle est la dépendance de la vitesse d’oxydation thermique du silicium vis-à-vis de l’orientation cristalline ?
- ALe plan (100) s’oxyde plus vite que le plan (111)
- BLa vitesse d’oxydation est la même quelle que soit l’orientation
- CLe plan (111) s’oxyde plus vite que le plan (100)
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Réponse : C. Le plan (111) s’oxyde plus vite que le plan (100)
Dans les mêmes conditions, le plan (111) s’oxyde plus vite que le plan (100), l’écart étant surtout marqué pour les films minces (environ 1.5 fois). C’est parce que la densité atomique de surface est plus élevée et que davantage de liaisons sont disponibles pour la réaction d’oxydation. Dans des structures comme les FinFET, où le dessus et les flancs ont des orientations différentes, l’épaisseur d’oxyde varie selon l’endroit ; on utilise donc l’oxydation radicalaire ou l’ALD, peu sensibles à l’orientation.