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Plaquettes de silicium

Quelle relation entre la résistivité d'un wafer de silicium et la concentration de dopant est correcte ?

  1. APlus la concentration de dopant est élevée, plus la résistivité est élevée
  2. BLa concentration de dopant et la résistivité sont indépendantes
  3. CPlus la concentration de dopant est élevée, plus la résistivité est faible
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Réponse : C. Plus la concentration de dopant est élevée, plus la résistivité est faible

Un dopage plus important augmente le nombre de porteurs et diminue la résistivité ; c'est pourquoi la résistivité du wafer est spécifiée comme indicateur de la concentration de dopant. Par exemple, en type p, 1 à 10 Ω·cm correspond à du bore de l'ordre de 10¹⁵ cm⁻³, et 0.01 Ω·cm à environ 10¹⁹ cm⁻³. À forte concentration, la mobilité diminue en raison de la diffusion par les impuretés ionisées ; la relation n'est donc pas simplement inversement proportionnelle, et la conversion se fait au moyen de tables comme celles de l'ASTM.

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