Siliziumwafer
Welche Aussage zum Gettern (Gettering) ist richtig?
- ABearbeitung, bei der der Wafer dünn geschliffen wird
- BTechnik, die schädliche metallische Verunreinigungen fern vom Bereich, in dem Bauelemente gefertigt werden, einfängt
- CTechnik, mehrere Wafer miteinander zu bonden
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Antwort: B. Technik, die schädliche metallische Verunreinigungen fern vom Bereich, in dem Bauelemente gefertigt werden, einfängt
Gettern ist eine Technik, bei der metallische Verunreinigungen wie Eisen, Kupfer und Nickel, die die Eigenschaften von Bauelementen verschlechtern, an Defekten im Waferinneren oder auf der Rückseite, fern vom Bauelementbereich an der Oberfläche, gesammelt und eingefangen werden. Metalle verursachen höhere Leckströme und Verschlechterung des Oxids, und schon eine geringe Kontamination von etwa 10¹⁰ atoms/cm² ist problematisch. Es gibt das intrinsische Gettern mit Sauerstoffausscheidungen im Waferinneren und das extrinsische Gettern mit Bearbeitungsspannungen oder polykristallinen Schichten auf der Rückseite.