Siliziumwafer

Welche Aussage zum Gettern (Gettering) ist richtig?

  1. ABearbeitung, bei der der Wafer dünn geschliffen wird
  2. BTechnik, die schädliche metallische Verunreinigungen fern vom Bereich, in dem Bauelemente gefertigt werden, einfängt
  3. CTechnik, mehrere Wafer miteinander zu bonden
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. Technik, die schädliche metallische Verunreinigungen fern vom Bereich, in dem Bauelemente gefertigt werden, einfängt

Gettern ist eine Technik, bei der metallische Verunreinigungen wie Eisen, Kupfer und Nickel, die die Eigenschaften von Bauelementen verschlechtern, an Defekten im Waferinneren oder auf der Rückseite, fern vom Bauelementbereich an der Oberfläche, gesammelt und eingefangen werden. Metalle verursachen höhere Leckströme und Verschlechterung des Oxids, und schon eine geringe Kontamination von etwa 10¹⁰ atoms/cm² ist problematisch. Es gibt das intrinsische Gettern mit Sauerstoffausscheidungen im Waferinneren und das extrinsische Gettern mit Bearbeitungsspannungen oder polykristallinen Schichten auf der Rückseite.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Siliziumwafer

  1. Welche Verunreinigung wird beim CZ-Verfahren in vergleichsweise großer Menge aus dem Tiegel in den gezogenen Siliziumkristall eingebaut?
  2. Welche Reihenfolge der Prozesse zur Herstellung von Wafern aus einem Einkristall-Ingot ist am besten geeignet?
  3. Welches Verfahren ist ein typisches Herstellungsverfahren für SOI-Wafer?
  4. Welche Kristallorientierung wird für Siliziumwafer für CMOS-LSIs üblicherweise verwendet?
  5. Welcher Zusammenhang zwischen dem spezifischen Widerstand eines Siliziumwafers und der Konzentration zugesetzter Verunreinigungen ist richtig?

Vergleiche zu diesem Thema