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Plaquettes de silicium

Quelle est la méthode représentative de fabrication des wafers SOI ?

  1. AFormer l'oxyde enterré par simple oxydation thermique du silicium
  2. BFondre le wafer et le recristalliser
  3. CColler un wafer implanté en ions hydrogène sur un autre wafer et le cliver à la profondeur d'implantation pour laisser une fine couche de silicium
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Réponse : C. Coller un wafer implanté en ions hydrogène sur un autre wafer et le cliver à la profondeur d'implantation pour laisser une fine couche de silicium

Dans le procédé Smart Cut, un wafer dont la surface est oxydée thermiquement et implanté en ions hydrogène à une profondeur de quelques centaines de nm est collé sur un substrat support. Un traitement thermique à quelques centaines de ℃ fait former à l'hydrogène implanté des microcavités qui se rejoignent en une couche, et le clivage à cette profondeur donne un wafer SOI où une fine couche de silicium monocristallin subsiste sur l'oxyde. La surface est finie par CMP pour ajuster l'épaisseur au nm près. Le reste du wafer clivé peut être repoli et réutilisé.

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