Transistors avancés (FinFET et GAA)
Quelle est la principale raison pour laquelle l'intégration 3D monolithique peut relier les couches avec une densité bien plus élevée que l'intégration 3D qui colle des puces fabriquées séparément ?
- ALes couches supérieure et inférieure sont reliées par des bossages de brasure
- BLes couches sont reliées par des interconnexions optiques
- CLa couche supérieure est fabriquée directement sur la couche inférieure et alignée par lithographie, si bien que les couches peuvent être reliées par des vias de la taille de ceux du câblage ordinaire
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Réponse : C. La couche supérieure est fabriquée directement sur la couche inférieure et alignée par lithographie, si bien que les couches peuvent être reliées par des vias de la taille de ceux du câblage ordinaire
Lorsqu'on colle des puces ou des plaquettes, la densité des connexions est fixée par la précision d'alignement du collage et par la taille des connexions. Dans l'intégration 3D monolithique, on forme ou on colle une fine couche semi-conductrice sur la première couche, puis on fabrique la seconde couche de transistors avec un alignement par lithographie, si bien que les couches peuvent être reliées aussi finement que par un via du câblage. En contrepartie, la couche supérieure doit être fabriquée à environ 500 °C ou moins pour ne pas endommager la couche inférieure.
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