Transistors avancés (FinFET et GAA)

Lequel des énoncés suivants correspond à un effet de canal court du MOSFET ?

  1. ARaccourcir la longueur de grille rend la capacité de grille infinie
  2. BRaccourcir la longueur de grille double toujours la mobilité du canal
  3. CRaccourcir la longueur de grille abaisse la tension de seuil et augmente le courant de fuite à l'état bloqué
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Raccourcir la longueur de grille abaisse la tension de seuil et augmente le courant de fuite à l'état bloqué

Lorsque la longueur de grille diminue, les zones de déplétion de la source et du drain deviennent relativement grandes, et une partie de la charge du canal est contrôlée par la source et le drain plutôt que par la grille. Il en résulte une baisse de la tension de seuil (roll-off), un abaissement du seuil par la tension de drain (DIBL), une dégradation de la pente sous le seuil et une hausse du courant de fuite à l'état bloqué. Le fait qu'une faible variation de longueur de grille due aux dispersions de fabrication modifie fortement les caractéristiques pose aussi problème.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors avancés (FinFET et GAA)

  1. Quelle est la principale raison de l'utilisation de matériaux high-k (à forte permittivité) pour le diélectrique de grille ?
  2. Quel est l'objectif principal des techniques appliquant une contrainte au canal du transistor ?
  3. Quelle est la définition de l'EOT (épaisseur d'oxyde équivalente) ?
  4. Quelle est la définition de la structure SOI (Silicon On Insulator) ?
  5. Quelle est la définition du DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) ?

Comparatifs sur ce thème