Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Wat is de belangrijkste reden dat monolithische 3D-integratie lagen veel dichter met elkaar kan verbinden dan 3D-packaging die afzonderlijk gemaakte chips aan elkaar bondt?
- ADe bovenste en onderste laag worden verbonden met soldeerbumps
- BDe lagen worden verbonden met optische interconnecties
- CDe bovenste laag wordt rechtstreeks op de onderste gemaakt en met lithografie uitgelijnd, zodat de lagen kunnen worden verbonden met via's van ongeveer de grootte van gewone bedradingsvia's
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. De bovenste laag wordt rechtstreeks op de onderste gemaakt en met lithografie uitgelijnd, zodat de lagen kunnen worden verbonden met via's van ongeveer de grootte van gewone bedradingsvia's
Bij het bonden van chips of wafers wordt de verbindingsdichtheid bepaald door de uitlijnnauwkeurigheid van het bonden en de grootte van de verbindingen. Bij monolithische 3D-integratie wordt op de eerste laag een dunne halfgeleiderlaag gevormd of gebond, en wordt de tweede transistorlaag met lithografische uitlijning gemaakt, zodat de lagen even fijn kunnen worden verbonden als via's in de bedrading. Daar staat tegenover dat de bovenste laag ruwweg bij 500 °C of lager moet worden gemaakt om de onderste laag niet te beschadigen.
Verder: nog 9 vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)